特許

J-GLOBAL ID：200903098697778670

半導体装置の製造方法

発明者： 水野 謙和 ,  稲垣 智義
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 油井 透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-298099
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100731
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】 CVD処理による半導体装置の製造方法において、反応室内の雰囲気が搬送室に逆拡散することを防止し、パーティクルの付着を低減することを可能とする。【解決手段】 複数枚の基板4を保持するボート6を複数台6a、6b有し、前記ボートの内の一台6aに保持された基板4aを反応炉20内で処理している間に、反応炉20外で前記ボートのうちの他のもの6bに次回処理する基板4bを移載しておき、前記反応炉20内での基板4aの処理が終了後、反応炉20内の雰囲気19を排気口10より排除しながらボート6bを反応炉20外へアンロードする。

請求項（抜粋）：

複数枚の基板を保持するボートを複数台有し、前記ボートの内の一台に保持された基板を反応炉内で処理している間に、反応炉外で前記ボートのうちの他のものに次回処理する基板を移載しておき、前記反応炉内での基板の処理が終了後、反応炉内に処理ガス供給口より不活性ガスを供給しつつ反応炉内の雰囲気を排気口より排除しながらボートを反応炉外へアンロードすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/22 511 ,  H01L 21/22

FI (4件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/44 F ,  H01L 21/22 511 B ,  H01L 21/22 511 Q

Fターム (19件)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030CA04 ,  4K030EA11 ,  4K030GA02 ,  4K030KA04 ,  4K030KA08 ,  4K030KA10 ,  5F045AA03 ,  5F045AB33 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045BB15 ,  5F045DP19 ,  5F045EE14 ,  5F045EG05 ,  5F045EM10 ,  5F045EN04