特許
J-GLOBAL ID：200903098701452041
半導体基板の欠陥検査方法及び欠陥検査装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-319939
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162252
出願日： 1995年12月08日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：
【要約】【課題】 ゴミやパーティクル等の付着による欠陥密度測定への影響を少なくし、エッチング後の結晶表面に気泡の軌跡やサイズの小さい欠陥の存在する場合でも正確に欠陥部分を分析測定し得る半導体基板の欠陥検査装置を提供すること。【解決手段】 この欠陥検査装置でエッチングを行う場合、四弗化樹脂製容器3内部に配備した半導体単結晶基板5を真空チャック用ロータリーポンプ6により真空チャックした後、容器3内部を真空ポンプ7により真空引きを行い、この後に容器3内部に使用前エッチング剤用容器1からエッチング剤4を満たすまでコック11を開けてエッチングを開始する。半導体単結晶基板5から発生した気泡51は気体体積計測部8に収集されて気体体積の測定が行われ、体積測定後の気体は欠陥量分析部9において気体体積に基づいて気体成分が分析されて欠陥部分の量が測定検出される。
請求項（抜粋）：
半導体基板における半導体結晶をエッチング剤によりエッチングして気体を発生させて該半導体結晶の欠陥部分を検出する半導体基板の欠陥検査方法において、前記エッチング剤中での前記半導体結晶の欠陥部分から発生した気体体積を測定し、該気体体積に基づいて気体成分を分析して該欠陥部分の量を測定検出することを特徴とする半導体基板の欠陥検査方法。
IPC (4件)：
H01L 21/66
, G01N 30/88
, G01N 33/00
, H01L 21/306
H01L 21/66 N
, G01N 30/88 A
, G01N 33/00 A
, H01L 21/306 U
