特許

J-GLOBAL ID：200903098703903512

半導体製造方法および製造装置

発明者： 渡辺 智司 ,  内野 敏幸
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-131876
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321539
出願日： 1997年05月22日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】ウエハを加熱して処理する半導体製造プロセスにおいて、ウエハを短時間で均一な温度に加熱することによって、微細なパターンを均一かつ効率良く形成する方法を提供することである。【解決手段】上記は、裏面を光学的に滑らかにしたウエハ4を用い、あらかじめウエハ裏面の放射率を求め、ウエハを熱源1で加熱し、ウエハが不透明な領域の測定波長を持つ放射温度計6でウエハ裏面温度を測定し、放射温度計と鏡面対称な方向に熱源の放射光を吸収する手段を設け、放射温度計で測定したウエハ温度に放射率の補正を加えた結果に基づいて熱源の加熱量を制御しながらウエハを処理する、ことによって達成される。

請求項（抜粋）：

半導体製造プロセスの中でウエハを加熱して処理するプロセスにおいて、半導体素子を形成しない裏面を光学的に滑らかにしたウエハを用い、あらかじめ放射温度計の測定波長におけるウエハ裏面の放射率を実測あるいは計算で求め、そのウエハを熱源で加熱し、測定波長がウエハが不透明な領域の放射温度計を少なくとも一つ用いてウエハ裏面の温度を測定し、温度を測定するウエハ裏面のある領域に対して放射温度計と鏡面対称な方向に熱源が放射する光を吸収する手段を設け、放射温度計で測定されたウエハ温度に放射率の補正を加えた結果に基づいてオフラインあるいはオンラインで熱源の加熱量を制御しながらウエハを処理することを特徴とする半導体製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/22 501 ,  H01L 21/22 ,  G01J 5/00

FI (3件)：

H01L 21/22 501 A ,  H01L 21/22 501 N ,  G01J 5/00 D