特許

J-GLOBAL ID：200903098704060861

電子ビーム転写露光方法及びこの方法を用いたデバイス製造方法

発明者： 中筋 護
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 渡部 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-126937
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323376
出願日： 1999年05月07日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】 ビームエッジ分解能が悪くても線幅精度を確保できる転写方法を提供する。【解決手段】 本発明の電子ビーム転写露光方法は、レチクル上のパターンを感応基板上に投影する電子光学系のビームエッジ分解能61の最悪値がパターン中の最小線幅の0.9〜1.0倍である。ビームが最小線幅の0.9〜1.0倍でも、スレッショールド値63のバラツキを±1%程度と厳しくすれば、線幅精度は目標である±10%よりも十分に低い値におさまる。

請求項（抜粋）：

感応基板上に転写すべきパターンを有するレチクルを電子ビームで照明し、レチクルを通過した電子ビームを感応基板上に縮小投影結像させてパターンを転写する電子ビーム転写露光方法であって;レチクル上のパターンを感応基板上に投影する電子光学系のビームエッジ分解能の最悪値が上記パターン中の最小線幅の0.8〜1.0倍であることを特徴とする電子ビーム転写露光方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16 ,  G03F 7/20 504

FI (3件)：

H01L 21/30 541 S ,  G03F 1/16 B ,  G03F 7/20 504

Fターム (16件)：

2H095BA08 ,  2H095BB02 ,  2H095BB10 ,  2H095BB32 ,  2H095BD28 ,  2H097CA16 ,  2H097LA10 ,  5F056AA22 ,  5F056BA06 ,  5F056BC01 ,  5F056BC05 ,  5F056CA13 ,  5F056CB15 ,  5F056CC09 ,  5F056FA05 ,  5F056FA07