特許
J-GLOBAL ID:200903098706143675
基板上の薄膜の処理方法。
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
島村 芳明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-306361
公開番号(公開出願番号):特開2001-127058
出願日: 1999年10月28日
公開日(公表日): 2001年05月11日
要約:
【要約】【課題】 大型の基板上の薄膜を均一に熱処理する。【解決手段】 プラズマ銃1により発生させた円筒状のプラズマ電子流7aを磁場によりシート状に変形してシートプラズマ7とし、表面に薄膜9aを有する基板9をシートプラズマ7面に対し直交して支持し、かつ、シートプラズマ7面に対し直角方向に移動させつつシートプラズマ7を照射して基板上の薄膜を加熱する。
請求項(抜粋):
プラズマ銃により発生させた円筒状のプラズマ電子流を磁場によりシート状に変形してシートプラズマとし、表面に薄膜を有する基板をシートプラズマ面に対し直交して支持し、かつ、シートプラズマ面に対し直角方向に移動させつつシートプラズマを照射して基板上の薄膜を加熱することを特徴とする基板上の薄膜の処理方法。
IPC (10件):
H01L 21/316
, C21D 1/09
, C21D 1/26
, C21D 1/76
, C23C 8/36
, G02F 1/1333 505
, H01L 21/31
, H01L 21/318
, H05H 1/24
, C21D 1/773
FI (10件):
H01L 21/316 A
, C21D 1/09 C
, C21D 1/26 E
, C21D 1/76 G
, C23C 8/36
, G02F 1/1333 505
, H01L 21/31 A
, H01L 21/318 A
, H05H 1/24
, C21D 1/773 J
Fターム (27件):
2H090HC03
, 2H090HC09
, 2H090HC16
, 2H090HC18
, 2H090JC07
, 2H090JC09
, 4K028BA02
, 4K028BA05
, 4K028BA14
, 5F045AA08
, 5F045AB40
, 5F045AC11
, 5F045AF10
, 5F045EB08
, 5F045EH10
, 5F045EH16
, 5F045EK20
, 5F045EM10
, 5F045EN05
, 5F058BA20
, 5F058BC03
, 5F058BC09
, 5F058BF73
, 5F058BF74
, 5F058BG03
, 5F058BG04
, 5F058BJ01
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