特許
J-GLOBAL ID：200903098711614210
シリコン構造体およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
青山 葆
, 河宮 治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-271380
公開番号（公開出願番号）：特開2004-109432
出願日： 2002年09月18日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：
【課題】通常の写真製版技術を用いて、N型のシリコン基板に、複数のサブミクロンの孔を一括的にサブミクロンの間隔で形成することができる手段を提供する。【解決手段】シリコン構造体においては、単結晶N型シリコン基板12に、それぞれ基板広がり面に対してほぼ垂直な側壁を有する複数の孔11が形成されている。各孔の深さは5μm以上であり、各孔は0.5〜1.0μmの範囲の孔間隔で配列されている。シリコン基板12の抵抗は0.3〜0.8Ω・cm以下であり、シリコン基板の厚さは300μm以下である。このシリコン構造体は、シリコン基板にアルカリエッチングでイニシャルピットを形成した後、フッ化水素酸中でシリコン基板に、シリコン基板の裏面側から光を照射しながら、ECEを施して孔11を形成することにより製造される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
N型のシリコン基板に、それぞれ基板広がり面に対してほぼ垂直な側壁を有する複数の孔が形成されてなるシリコン構造体であって、
上記各孔の深さが5μm以上であり、上記各孔が0.5μmから1.0μmまでの範囲の間隔で配列され、上記シリコン基板の抵抗が0.3Ω・cm以上かつ0.8Ω・cm以下であり、上記シリコン基板の厚さが少なくとも上記孔の形成された領域では300μm以下であることを特徴とするシリコン構造体。
IPC (4件)：
G02B1/00
, G02B5/20
, G02B5/26
, G02B6/12
G02B1/00
, G02B5/20
, G02B5/26
, G02B6/12 Z
, G02B6/12 N
2H047PA24
, 2H047QA02
, 2H048AA07
, 2H048AA09
, 2H048AA18
, 2H048FA05
, 2H048FA07
, 2H048FA09
, 2H048FA12
, 2H048FA24
