特許
J-GLOBAL ID：200903098711764858
半導体装置の製造方法およびそれを用いた半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-078398
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282486
出願日： 2002年03月20日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：
【要約】【課題】 リードレスタイプ半導体装置の課題であるチッピングを防止し、信頼性を向上させた半導体装置を生産できる製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 ダイシングブレード32により、個々の半導体素子30間に切り込み溝33を形成し、CVD法により、絶縁膜25を形成し、はんだバンプ接続用の開口部36を形成し、はんだバンプ4、5を形成し、ダイシングシート38を接着し、裏面側から半導体素子30が分離するまで研削することにより半導体装置20を製造する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面側に複数の半導体素子を形成する工程と、前記半導体基板の表面側をダイシングブレードで前記半導体素子間に切り込み溝を形成する工程と、前記半導体素子表面および前記切り込み溝内面にCVD法による絶縁膜を形成する工程と、前記半導体素子表面の配線金属層を被膜する前記絶縁膜をエッチングしはんだバンプを取付けるための開口部を形成する工程と、前記開口部に露出した前記配線金属層にはんだバンプを取付ける工程と、前記半導体素子表面にダイシングシートを接着する工程と、前記半導体基板の裏面側を前記切り込み溝が露出して半導体素子を個別に分離するまで研削する工程と、前記全工程を経た後に前記ダイシングシートから前記半導体素子を取り外す工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/301
, H01L 23/12 501
H01L 23/12 501 C
, H01L 21/78 Q
