磁気抵抗素子とその製造方法、および化合物磁性薄膜の形成方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-268655
公開番号（公開出願番号）：特開2002-190631
出願日： 2001年09月05日
公開日（公表日）： 2002年07月05日
要約：

【要約】【課題】磁気抵抗素子の耐熱性、磁界シフト量等を改善する。【解決手段】固定磁性層が、少なくとも1層の非磁性体層と、この非磁性体層を挟持する磁性体層とからなる多層膜であり、上記磁性体層が、上記非磁性体層を介して互いに静磁結合している磁気抵抗素子を提供する。この素子は、改善された耐熱性を有する。また、本発明は、固定磁性層が、上記多層膜であって負の磁気結合を生じさせるように静磁結合または反強磁性結合した磁気抵抗素子を提供する。この素子は、磁界シフト量を低減する。また、本発明は、中間層を挟持する磁性層の少なくとも一方が、(100)、(110)または(111)面を配向面とする酸化物フェライトを含み、この配向面内に外部磁場を導入する磁気抵抗素子を提供する。この素子は、高い磁気抵抗変化率を示す。

請求項（抜粋）：

中間層と、前記中間層を挟持する一対の磁性層とを含み、前記磁性層の一方が、他方の磁性層よりも外部磁界に対して磁化回転しにくい固定磁性層であり、前記固定磁性層が、少なくとも1層の非磁性体層と、前記非磁性体層を挟持する磁性体層とからなる多層膜であって、前記磁性体層が、前記非磁性体層を介して互いに静磁結合していることを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (9件)：

H01L 43/08 , C23C 14/34 , G01R 33/09 , H01F 10/20 , H01F 10/32 , H01F 41/18 , H01L 27/105 , H01L 43/12 , G11B 5/39

FI (9件)：

H01L 43/08 Z , C23C 14/34 P , H01F 10/20 , H01F 10/32 , H01F 41/18 , H01L 43/12 , G11B 5/39 , H01L 27/10 447 , G01R 33/06 R

Fターム (23件)：

2G017AA10 , 2G017AD55 , 4K029AA06 , 4K029BA08 , 4K029BA16 , 4K029BA22 , 4K029BA24 , 4K029BA26 , 4K029BA44 , 4K029BB02 , 4K029BC06 , 4K029CA05 , 4K029DC39 , 4K029EA08 , 5D034BA02 , 5D034BA03 , 5E049AB03 , 5E049BA06 , 5E049BA23 , 5E049DB14 , 5E049GC02 , 5F083FZ10 , 5F083PR22

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