特許
J-GLOBAL ID：200903098719211661
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-141302
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340223
出願日： 1998年05月22日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】シリコン窒化膜からなるパッシベーション膜の段差被覆性を改善し、半導体装置の信頼性を向上させる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】配線層が形成された半導体基板上にプラズマCVDを行い、シリコン窒化膜からなるパッシベーション膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記プラズマCVD工程は、前記シリコン窒化膜の成膜ガスおよびハロゲン系ガスを供給し、前記ハロゲン系ガスにより前記シリコン窒化膜の少なくとも一部をエッチングしながら、前記シリコン窒化膜を堆積させる工程である半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
配線層が形成された半導体基板上に、プラズマ化学気相蒸着(CVD;chemical vapor deposition)を行い、シリコン窒化膜からなるパッシベーション膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記プラズマCVD工程は、前記シリコン窒化膜の成膜ガスおよびハロゲン系ガスを供給し、前記ハロゲン系ガスにより前記シリコン窒化膜の少なくとも一部をエッチングしながら、前記シリコン窒化膜を堆積させる工程である半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/318 B
, H01L 21/31 C
