特許
J-GLOBAL ID：200903098719404125
半導体レーザ装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-329095
公開番号（公開出願番号）：特開平9-172220
出願日： 1995年12月18日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：
【要約】【課題】 メサ型構造を作製するエッチング工程に於ける再現性および効率の向上を達成する半導体レーザ装置とその製造方法とを提供すること。【解決手段】 ダブルへテロ接合構造の上に形成した第1エッチング停止層から離間し、且つ活性層から1μm以上離間した第2エッチング停止層を備える。【効果】 エッチング工程を2段階に停止させるので、工程中に各層の膜厚分布の均一性が悪化せず、再現性良くメサ型構造を作製することができる。また、2つのエッチング停止層を互いに離間させているので、2つの層を極端に薄膜化する必要がなく、さらに第2エッチング停止層を活性層から十分離して形成しているので2つのエッチング停止層に於ける光吸収を最小限とすることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されたダブルヘテロ接合構造と、上記ダブルヘテロ接合構造上に設けられた第1エッチング停止層と、上記第1エッチング停止層上に設けられたメサ型構造と、上記第1エッチング停止層上で上記メサ型構造の両側面を覆うように設けられた電流狭窄層と、上記メサ型構造および上記電流狭窄層上に設けられてこれらを覆うコンタクト層とを備え、上記メサ型構造が、上記第1エッチング停止層に直接接して設けられた第1クラッド層と、上記第1クラッド層上に設けられた第2エッチング停止層とを備えた半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 3/18
, H01L 21/308 C
