特許
J-GLOBAL ID：200903098720123806
薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-227638
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077251
出願日： 1992年08月26日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】 結晶性に優れた多結晶シリコン膜を形成する。【構成】 TFTのチャンネル部形成箇所にマイクロクリスタルシリコン膜を形成し、アニール処理して多結晶シリコン膜とする。マイクロクロスタルシリコンにおいては、微結晶を核として結晶成長させることができる。よって、成長する結晶の粒径や配向性を制御することができる。
請求項（抜粋）：
多結晶シリコン膜からなるチャネル部を備えた薄膜トランジスタの製造方法であって、該チャネル部形成箇所にマイクロクリスタルシリコン膜を形成する工程と、該マイクロクリスタルシリコン膜をアニール処理して多結晶シリコン膜となす工程と、を含む薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, G02F 1/136 500
