特許

J-GLOBAL ID：200903098722527920

半導体装置の製造方法

発明者： 木村 真美
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-291687
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129219
出願日： 1991年11月07日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】本発明は、半導体基板上に導電体膜等を形成する際の前処理を含む半導体装置の製造方法に関し、膜形成の前処理等を行ったにもかかわらず半導体基板の表層等に残留する微量の汚染粒子を除去又は低減することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】半導体基板16上に導電体又は絶縁体からなる膜18を形成する工程と、前記膜に汚染粒子吸着層19を形成した後、汚染粒子が動きうる温度で加熱処理し、半導体基板16の表面又は前記膜18に存在している汚染粒子を汚染粒子吸着層19の方に分散する工程とを有することを含み構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に導電体又は絶縁体からなる膜を形成する工程と、前記膜に汚染粒子吸着層を形成した後、汚染粒子が動きうる温度で加熱処理し、前記半導体基板と前記膜との界面又は該界面の近傍に存在している前記汚染粒子を前記汚染粒子吸着層の方に分散する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/205