特許

J-GLOBAL ID：200903098728821936

配向性膜の形成方法

発明者： 桝屋 春子
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-227680
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097146
出願日： 1994年09月22日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】 特別な装置を用いることなくかつあらゆる膜質の基板上に精度良く配向した配向性膜を形成できる方法を提供することを目的とする。【構成】 第1工程では、基板10上に配向性膜形成層11を形成する。第2工程では、配向性膜形成層11に対して配向性膜形成層11中で所望の配向性を有する結晶粒14がチャネリングを生じる方向からイオンビーム12を照射し、結晶粒14を残して配向性膜形成層11を非晶質化する。第3工程では、配向性膜形成層11の熱処理を行うことによって、結晶粒14の配向性を引き継いで配向性膜形成層を再結晶させる。これによって、基板10上にイオンビームの照射方向によって配向方向が制御された配向性膜15を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に、当該基板の表面と平行をなす面が所定の結晶面で構成された配向性膜を形成する方法であって、前記基板上に、多結晶性の配向性膜形成層を形成する第1工程と、前記配向性膜形成層に対して当該配向性膜形成層中で所望の配向性を有する結晶粒がチャネリングを生じる方向からイオンビームを照射し、前記結晶粒を残して前記配向性膜形成層を非質化する第2工程と前記配向性膜形成層の熱処理を行うことによって前記結晶粒の配向性を引き継いで当該配向性膜形成層を再結晶させて前記配向性膜を形成する第3工程とを行うことを特徴とする配向性膜の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/203 ,  C23C 14/48 ,  C23C 14/58 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/263

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-120014
  
• 特開昭62-120014