半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-264926
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120222
出願日： 1992年10月02日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【構成】少なくとも二層以上の金属層を有し、VDDの主幹電源線を複数の金属層のうちいずれか一つの金属層を用いて配置し、VSSの主幹電源線を前記VDDの主幹電源線に用いた金属層とは異なる別の金属層を用いて配置する。【効果】異なる電源電圧を供給する金属配線層が絶縁膜を介して直接互いに交差することが可能となるので、配線の引き回しを短くでき、配線抵抗、寄生インダクタンスが小さくなる。従って回路群に供給される実効的な印加電圧が低下することを抑えることができ、回路群の動作速度の低下が起こらない。また回路群に供給される印加電圧の変動分が小さくなり、ノイズに対して強くなる。また異なった電源電圧を供給する金属配線層どうしが互いにオーバーラップすることも可能なので配線容量が付きノイズに対しても強くなる。さらに配線の引き回しによるチップ面積の増加が抑えられる。

請求項（抜粋）：

少なくとも二層以上の金属層を有する半導体装置において、第一電源電圧の主幹電源線を複数の金属層のうちいずれか一つの金属層を用いて配置し、第二電源電圧の主幹電源線を前記第一電源電圧の主幹電源線に用いた金属層とは異なる別の金属層を用いて配置したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/82

FI (2件)：

H01L 21/88 Z , H01L 21/82 L

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