特許
J-GLOBAL ID：200903098737529571
半導体製造装置のリークガス検出方法及びその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-182021
公開番号（公開出願番号）：特開平7-012670
出願日： 1993年06月28日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：
【要約】【目的】半導体製造装置のガス流通系でのリーク検出で、塩酸、水素等の反応性ガスを流すことなく接続箇所のガスリークを検出することができる様にする。【構成】反応室に非反応ガスを流通させ、非反応ガス中の大気成分の有無を検出し、非反応ガス中に大気成分が検出されれば、ガス流通系の接続箇所より大気が混入していることとなり、接続箇所のリーク検出ができる。
請求項（抜粋）：
反応室に非反応ガスを流通させ、非反応ガス中の大気成分の有無を検出することを特徴とする半導体製造装置のリークガス検出方法。
IPC (3件)：
G01M 3/04
, G01F 1/00
, G01M 3/20
