特許
J-GLOBAL ID:200903098743894184

表面波装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 宮▼崎▲ 主税 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-001352
公開番号(公開出願番号):特開平6-268469
出願日: 1994年01月11日
公開日(公表日): 1994年09月22日
要約:
【要約】【目的】 広帯域化を図ることができ、低い周波数のものを得ることができ、温度変化に対する特性の変動が生じ難い安価なラブ波を利用した表面波装置を提供する。【構成】 0〜30°回転YカットX伝搬LiNbO3 基板2上に少なくとも1つのIDT5を形成し、該IDT5を覆うようにZnO薄膜6を形成してなり、上記ZnO薄膜6の膜厚をH(ZnO)、励振されるラブ波の波長をλとしたときにH(ZnO)/λが0.05〜2の範囲とされている表面波装置。
請求項(抜粋):
ラブ波を利用した表面波装置であって、0〜30°回転YカットX伝搬のLiNbO3 基板と、前記LiNbO3 基板上に形成された少なくとも一つのインターデジタルトランスデューサと、前記インターデジタルトランスデューサを覆うように形成されたZnO薄膜とを備え、前記ZnO薄膜の膜厚をH(ZnO)、ラブ波の波長をλとしたときに、H(ZnO)/λが0.05〜0.2の範囲とされていることを特徴とする、表面波装置。

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