特許

J-GLOBAL ID：200903098744011766

配線基板

発明者： 清水 範征
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-207873
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040879
出願日： 1998年07月23日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：

【要約】【課題】 貫通導体中に充填不足による空隙が発生して電気抵抗が大きなものとなり、配線基板に搭載する半導体集積回路素子を正常に作動させることができない。【解決手段】 表面に配線導体4〜6が配設された複数の絶縁層1a〜1dを積層して成る絶縁基体1の表層の絶縁層1aに直径が100 μm以上の第1の貫通導体4a〜6aおよび直径が100 μm未満の第2の貫通導体4b〜6bを設けて成る配線基板であって、第1の貫通導体4a〜6aは金属粉末を結合して成る導体とその露出表面を覆うめっき金属層8とにより形成されており、第2の貫通導体4b〜6bはめっき金属により形成されている。貫通導体4a〜6a・4b〜6bに充填不足による電気抵抗の増大や導体ペーストのにじみによる電気的短絡が発生しない。

請求項（抜粋）：

表面に配線導体が配設された複数の絶縁層を積層して成る絶縁基体の表層の絶縁層に直径が100μm以上の第1の貫通導体および直径が100μm未満の第2の貫通導体を設けて成る配線基板であって、前記第1の貫通導体は金属粉末を結合して成る導体とその露出表面を覆うめっき金属層とにより形成されており、前記第2の貫通導体はめっき金属により形成されていることを特徴とする配線基板。

IPC (2件)：

H05K 3/46 ,  H01L 23/12

FI (3件)：

H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 Q ,  H01L 23/12 N

Fターム (37件)：

5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA35 ,  5E346AA43 ,  5E346BB01 ,  5E346BB07 ,  5E346BB16 ,  5E346CC02 ,  5E346CC08 ,  5E346CC17 ,  5E346CC18 ,  5E346CC19 ,  5E346CC31 ,  5E346DD13 ,  5E346DD22 ,  5E346DD32 ,  5E346DD34 ,  5E346EE02 ,  5E346EE06 ,  5E346EE09 ,  5E346EE14 ,  5E346EE24 ,  5E346FF04 ,  5E346FF18 ,  5E346FF27 ,  5E346FF45 ,  5E346GG05 ,  5E346GG06 ,  5E346GG09 ,  5E346GG10 ,  5E346GG15 ,  5E346GG17 ,  5E346GG19 ,  5E346GG22 ,  5E346GG28 ,  5E346HH01 ,  5E346HH08