特許
J-GLOBAL ID：200903098748868475
不揮発性半導体メモリ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-041450
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249697
出願日： 1994年03月11日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：
【要約】【目的】 長期信頼性を確保しながら、素子特性のばらつきの影響を大幅に減少させることにより、高集積化を可能とする不揮発性半導体メモリ装置を提供する。【構成】 不揮発性半導体メモリ装置において、後酸化工程におけるゲートバーズビークをシリコン基板と浮遊ゲート間の第1の絶縁膜側で大きく、浮遊ゲートと制御ゲート間の第2の絶縁膜側で小さく形成する。このために浮遊ゲートとなる多結晶シリコン膜の上側の不純物濃度を、下側の不純物濃度よりも低くしている。また、この多結晶シリコン膜の上面に窒化膜を形成することにより同様の効果を得ることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板表面に形成されたチャネル領域上に第1の絶縁膜、浮遊ゲート、第2の絶縁膜、制御ゲートを順次積層した積層構造を有する不揮発性半導体メモリ装置において、前記第2の絶縁膜の中央部に対する端部の膜厚増加が、前記第1の絶縁膜の中央部に対する端部の膜厚増加よりも少ないことを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。
IPC (3件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
