特許
J-GLOBAL ID：200903098750861127
半導体ガイド層の突き合わせ接合方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-054617
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259568
出願日： 1992年03月13日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【目的】異なる組成や異なる層構造の半導体導波路同士の突き合わせ接合において、導波路層間の光学的軸を一致させその結合効率向上させることのできる突き合わせ接合方法を提供すること。【構成】上記目的は、下記工程からなる接合方法とすることによって達成することができる。(1) 半導体基板上の第1の半導体導波路層上に形成した所定領域に設けた絶縁層をマスクとして上記第1の半導体導波路層を選択的にエッチングして半導体基板表面まで取り除き、上記第1の半導体導波路層がエッチングで生じた壁面から内側に入り込んだ形状を形成する工程、(2) 上記工程により得られた基板を硫化アンモニウムを含む (NH4)2SX水溶液中に所定時間浸漬する工程、(3) 次いで、上記第1の半導体導波路層とは異なるバンドギャップ波長あるいは異なる層厚を有する1層または複数層の半導体導波路層を上記第1の半導体導波路層と光学的に軸を一致させて気相エピタキシャル成長法により接合させる工程。
請求項（抜粋）：
下記工程からなることを特徴とする半導体ガイド層の突き合わせ接合方法。(1) 半導体基板上に形成した第1の半導体導波路層上の所定領域に設けた絶縁層をマスクとして上記第1の半導体導波路層を選択的にエッチングして半導体基板表面まで取り除き、さらに上記第1の半導体導波路層がエッチングで生じた壁面から内側に入り込んだ形状となるように形成する工程、(2) 上記工程により得られた基板を硫化アンモニウムを含む (NH4)2SX水溶液中に所定時間浸漬する工程、(3) 次いで、上記第1の半導体導波路層とは異なるバンドギャップ波長を有する1層または複数層の半導体導波路層を上記第1の半導体導波路層と光学的に軸を一致させて気相エピタキシャル成長法により接合させる工程。
引用特許：
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