特許

J-GLOBAL ID：200903098755894929

ドライエッチング装置およびドライエッチング方法

発明者： 鈴木 慎一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-038151
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242122
出願日： 1997年02月21日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】 ドライエッチング工程において半導体ウェハに付着する異物を減少させ、歩留りを向上させる。【解決手段】 処理室10の内部に、半導体ウェハWが載置される下部電極20および上部電極30を対向して配置し、高周波電源40から印加される高周波電力にて、反応ガス71のプラズマを形成してエッチングを行うドライブエッチング装置において、下部電極20および上部電極30の各々の周囲に配置され、石英からなるサセプタ22およびサセプタ32の表面を、シリコン、炭素等の物質の導入によって疎水性化することで、エッチングの過程で発生する疎水性のエッチング反応生成物との親和性(接着力)を高め、サセプタ22およびサセプタ32の表面からエッチング反応生成物の剥離を防止し、エッチング反応生成物の剥離に起因する半導体ウェハWへの異物の付着量を減少させ、歩留りを向上させる。

請求項（抜粋）：

内部に半導体ウェハが収容された処理室の内部に反応ガスを供給することによって、前記半導体ウェハにドライエッチングを行うドライエッチング装置であって、前記反応ガスに暴露される構成部材の表面は疎水性化されてなることを特徴とするドライエッチング装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/68

FI (2件)：

H01L 21/302 C ,  H01L 21/68 N