特許

J-GLOBAL ID：200903098762551085

セラミツク誘電体用組成物

発明者： 安倍 一允 ,  青木 昌史 ,  力丸 浩昭 ,  日高 一久
出願人/特許権者： 堺化学工業株式会社
代理人 (1件)： 牧野 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-055583
公開番号（公開出願番号）：特開平6-321630
出願日： 1985年07月27日
公開日（公表日）： 1994年11月22日
要約：

【要約】【目的】低温での焼成によつて、高い焼結密度を有すると共に、高い比誘電率、高い絶縁抵抗及び低い誘電正接等を有して、電気特性にすぐれるセラミツク誘電体を与える組成物を提供することにある。【構成】(a) Mg、Ca、Sr、Ba、Pb及び希土類元素よりなるA群から選ばれる少なくとも1種の元素、及び(b) Ti、Zr、Hf及びSnよりなるB群から選ばれる少なくとも1種の元素を含むペロブスカイト化合物を主成分として含有する組成物であつて、上記ペロブスカイト化合物が仮焼法によるペロブスカイト化合物と湿式法によるペロブスカイト化合物0.5〜50重量%からなる。

請求項（抜粋）：

(a) Mg、Ca、Sr、Ba、Pb及び希土類元素よりなるA群から選ばれる少なくとも1種の元素、及び(b) Ti、Zr、Hf及びSnよりなるB群から選ばれる少なくとも1種の元素を含むペロブスカイト化合物を主成分として含有する組成物であつて、上記ペロブスカイト化合物が仮焼法によるペロブスカイト化合物と湿式法によるペロブスカイト化合物0.5〜50重量%からなることを特徴とするセラミツク誘電体用組成物。

IPC (4件)：

C04B 35/46 ,  C01G 23/00 ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/12 418