特許

J-GLOBAL ID：200903098772585816

導体層パターンの形成方法

発明者： 中田 好和 ,  大友 省三 ,  田中 一成
出願人/特許権者： 株式会社住友金属セラミックス ,  住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-239718
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094848
出願日： 1993年09月27日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【構成】 セラミックス基板11上にポジ型フォトレジスト層12を形成し、ポジ型フォトレジスト層12にフォトマスク13を介して露光処理、現像処理を施して、ポジ型フォトレジスト層12に導体層形成パターン状に凹部15を形成した後このポジ型フォトレジスト層12を全面露光処理し、前記導体層形成パターンと同一のパターンを有するスクリーン17を用い、スクリーン印刷法により凹部15に導体ペースト16を充填し、充填された導体ペースト16を乾燥させて導体ペースト16中の固体成分をセラミックス基板11に接着させ、現像処理によりポジ型フォトレジスト層12を消失せしめ、焼成により導体ペースト16中の固体成分をセラミックス基板11に焼き付ける導体層パターンの形成方法。【効果】正確で微細な形状を有し、導体層19の間が確実に絶縁された導体層19のパターンを安価に製造することができる。

請求項（抜粋）：

セラミックス基板上にポジ型フォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、前記ポジ型フォトレジスト層に所定の導体層形成パターンを有するフォトマスクを介して露光処理を施し、その後現像処理を施すことにより、前記ポジ型フォトレジスト層に前記導体層形成パターン状に凹部を形成する凹部形成工程と、前記凹部が形成された前記ポジ型フォトレジスト層に全面露光処理を施す全面露光処理工程と、前記導体層形成パターンと同一のパターンを有するスクリーンを用い、スクリーン印刷法により前記凹部に導体ペーストを充填する導体ペースト充填工程と、前記凹部に充填された前記導体ペーストを乾燥させ、前記導体ペースト中の固体成分を前記セラミックス基板に接着させる接着工程と、前記ポジ型フォトレジスト層に現像処理を施して前記ポジ型フォトレジスト層を消失させるフォトレジスト層消失工程と、焼成により前記導体ペースト中の固体成分を前記セラミックス基板に焼き付ける焼付工程とを含むことを特徴とする導体層パターンの形成方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-240996
  
• 特開昭54-109169
  
• 特開昭54-149867
  
• 特開昭63-110790