特許

J-GLOBAL ID：200903098777034699

半導体装置およびその製造方法

発明者： 巽 宏平 ,  寺嶋 晋一 ,  山本 幸弘 ,  宇野 智裕
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 内藤 俊太 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-174909
公開番号（公開出願番号）：特開2001-358168
出願日： 2000年06月12日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：

【要約】【課題】 ワイヤの短絡を有効に防止するとともに、手間がかからず効率のよい製造工程を実現する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体チップ1のチップ電極1aと外部回終に対する接続用端子2とがボンディングワイヤ3を介して接続される。ボンディングワイヤ3の少なくとも一部もしくは全部が補強材料4によりコーティングされ半導体チップ1、ボンディングワイヤ3および接続用端子2を含む領域が樹脂5によりコーティングまたは樹脂封止される。

請求項（抜粋）：

半導体の電極と外部回路に対する接続用端子とがボンディングワイヤを介して接続される半導体装置であって、前記ボンディングワイヤの少なくとも一部もしくは全部がボンディング後に補強材料により、補強されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (2件)：

H01L 21/60 301 C ,  H01L 23/30 B

Fターム (16件)：

4M109AA02 ,  4M109BA01 ,  4M109CA08 ,  4M109CA21 ,  4M109DB17 ,  4M109EA01 ,  4M109EB12 ,  4M109ED01 ,  4M109ED05 ,  4M109ED07 ,  4M109EE01 ,  5F044AA01 ,  5F044FF04 ,  5F044FF05 ,  5F044HH00 ,  5F044JJ03