特許

J-GLOBAL ID：200903098780809766

半導体製造装置

発明者： 今井 義則 ,  渡辺 智司 ,  三瀬 信行
出願人/特許権者： 国際電気株式会社 ,  株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 油井 透 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-044813
公開番号（公開出願番号）：特開平11-243059
出願日： 1998年02月26日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：

【要約】【課題】 排気配管のみにエッチング性ガスを流すようにして、排気配管内に付着する副生成物を効率良く除去する。【解決手段】 排気配管2の上流に、排気配管2内をエッチングする際に反応管1との間の連絡を断つ開閉バルブ3を設け、開閉バルブ3より下流の排気配管2に、排気配管2の圧力を最適に調整する圧力調整バルブ5を設ける。開閉バルブ3と圧力調整バルブ5との間の排気配管2に、排気配管2に付着する副生成物の除去のみに最適なエッチング性ガスを導入するエッチング性ガス導入配管4を挿入する。

請求項（抜粋）：

排気配管内部に付着した副生成物を除去するために、排気配管専用のエッチング性ガス導入部を設けた半導体製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/203

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/203 Z