特許

J-GLOBAL ID：200903098780907083

半導体装置及びその製造方法

発明者： 小田 典明
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-269810
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109708
出願日： 1991年10月18日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】半導体装置を高周波数で動作させるとき、配線を流れる電流が、表皮効果により導体表面付近に集中して流れて、見かけ上の配線抵抗が増加し動作速度が低下するのを防ぐこと。【構成】絶縁膜3bの周囲を、主要配線材料である金属導体が完全に取り囲んで構成された配線を含む配線系を有し、コンタクト開口部及びスルーホール開口部が主要配線材料で埋め込まれている。【効果】配線を構成する導体の表面が、外側だけでなく、内部に埋め込まれた絶縁膜との境界面にも存在するため、高周波数で動作させるときでも、導体内の電流密度を均一に保つことができるため、配線抵抗の見かけ上の増加が抑えられ、さらに、コンタクト抵抗及びスルーホール抵抗が低下し、高速動作が維持できる、という効果を有する。

請求項（抜粋）：

断面形状において、絶縁膜の周囲を、主要配線材料である金属導体が完全に取り囲んで構成された配線を含む配線系を有することを特徴とする半導体装置。