特許

J-GLOBAL ID：200903098781570236

半導体素子の絶縁膜の評価方法

発明者： 重信 智基
出願人/特許権者： 宮崎沖電気株式会社 ,  沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-116686
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334015
出願日： 1993年05月19日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】 半導体素子の絶縁膜に印加される電界を補正し、絶縁膜の正確な寿命予測を行うことができる半導体素子の絶縁膜の評価方法を提供する。【構成】 TZDB測定からTDDB特性の真性不良領域の予測を行う半導体素子の絶縁膜の評価方法において、TZDB測定時に酸化膜に印加される低電界領域の電流-電圧特性からファウラー-ノルドハイム(Fowler-Nordheim)式を算出し(ステップS1)、前記酸化膜に印加される高電界領域の電流の実測値を求め(ステップS2)、該実測値が前記ファウラー-ノルドハイム式に該当する電界を求め(ステップS3)、該電界を前記酸化膜に印加される電界として補正する(ステップS4)。

請求項（抜粋）：

TZDB測定からTDDB特性の真性不良領域の予測を行う半導体素子の絶縁膜の評価方法において、(a)TZDB測定時に絶縁膜に印加される低電界領域の電流-電圧特性からファウラー-ノルドハイム(Fowler-Nordheim)式を算出し、(b)前記絶縁膜に印加される高電界領域の電流の実測値を求め、(c)該実測値が前記ファウラー-ノルドハイム式に該当する電界を求め、(d)該電界を前記絶縁膜に印加される電界として補正することを特徴とする半導体素子の絶縁膜の評価方法。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/26