特許

J-GLOBAL ID：200903098782947333

半導体レーザ素子

発明者： 田中 俊明
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-194455
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045987
出願日： 1995年07月31日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 導波路や共振器の形成が困難であった窒化物材料において、半導体レ-ザに適する導波路共振構造を形成し、また共振器端面にDBR構造高反射膜を形成して、青紫色波長領域においてより低閾値動作の半導体レ-ザを実現する。【解決手段】 サファイア基板(0001)C面上にGaN材料からなる層3まで結晶成長し、絶縁膜マスク4のパタ-ンを用いて、層5から7までの導波路構造を含みDBR構造高反射膜8までを選択成長する。このとき、導波路構造では、発光活性層が光導波層に埋め込まれた形である実屈折率導波型のBH構造を構成する。DBR構造膜8は、共振器端面高反射膜としてだけではなく、電流狭窄層とフォトンリサイクル用の高反射膜としても働く。この後、電極10及び11を蒸着して、スクライブすることにより図示の素子縦断面を得る。【効果】 DBR構造高反射膜を設けない素子に比べ、閾値電流を1/10から1/15に低減できた。

請求項（抜粋）：

単結晶基板上に設けた発光素子の光導波路構造において、該光導波路を伝搬して導波光が共振する方向に対して、Fabry-Perot共振器となる両端面が該基板に垂直な面により形成されており、かつ該共振器形成の後に両端面にはブラック分布反射型(DBR; Distributed Bragg Reflector)構造からなる高反射膜を設けてあることを特徴とする半導体レーザ素子。