特許

J-GLOBAL ID：200903098783594329

イオン注入装置

発明者： 大村 三好 ,  武山 邦彦
出願人/特許権者： 日新ハイボルテージ株式会社
代理人 (1件)： 成田 擴其
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-173651
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343026
出願日： 1992年06月09日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】 極微小ビーム電流計測精度を向上させること。【構成】 ウエファディスク1のイオンビ-ム照射箇所に対向させて後方散乱粒子又は特性X線検出器7を設け、ウエファディスクの各ウエファ2の装着箇所の中間にサンプラとして機能する原子番号の大きい重金属片8を配置する。イオンビ-ムの照射に伴い、照射箇所から発生する後方散乱粒子、特性X線を検出する検出器の出力は波高分析器10に導入され、重金属片の元素に係る特定エネルギ範囲の波高信号を取り出し、計数器11で計数する。計数器の計数率はビーム電流に比例する。

請求項（抜粋）：

イオンビ-ム被照射体に対向して設けられた後方散乱粒子検出器又は特性X線検出器を有し、イオンビ-ム電流を計測することを特徴とするイオン注入装置。

IPC (3件)：

H01J 37/317 ,  H01J 37/244 ,  H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 21/265 D ,  H01L 21/265 T