特許
J-GLOBAL ID：200903098785799084
電極の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-141431
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335315
出願日： 1992年06月02日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【目的】 半導体素子の細密実装で用いる突起形状電極を無電解めっき法で製造する際、電極予定部分以外を感光性樹脂で覆い、低温の酸性亜鉛置換めっき液で行うことで、接続強度が高く、電極ピッチの狭いバンプ電極同士の短絡が抑えられる製造方法の実現。【構成】 回路を形成したシリコン基板1に、アルミニウムから成る導電層3の電極上にニッケル・リン層5および金層6を積層することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上へ第一絶縁層を介してアルミニウムから成る導電層を積層し、電極予定領域以外を第二絶縁層で被覆した後、前記電極予定領域の導電層上へ亜鉛層をめっきし該亜鉛層上へ電気的接続を可能とする接続金属層を積層した電極の製造方法において、半導体基板上の電極予定領域以外のアルミニウムから成る導電層及び第二絶縁層の上へ感光性樹脂層を塗布し、前記亜鉛層を弗酸及び弗化アンモニウムを含有する酸性の亜鉛置換めっき溶液へディッピングして形成し、接続金属層を無電解めっき法により形成した後、前記感光性樹脂層を除去したことを特徴とする電極の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/92 F
, H01L 21/92 D
