特許
J-GLOBAL ID：200903098786282395
TFTアレイ基板並びにこれを用いた液晶表示装置およびTFTアレイ基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大岩 増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-154863
公開番号（公開出願番号）：特開平9-005785
出願日： 1995年06月21日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：
【要約】【目的】 点欠陥修復を確実に行えるTFTアレイとその製造方法を提供する。【構成】 ゲート電極およびゲート配線2と同材料で同時に形成され、隣接する2つの画素に重複する点欠陥修復パターン9と、この点欠陥修復パターン9上にゲート絶縁膜4を介して形成されたアイランド10とを備え、点欠陥として認識される画素に対し、その画素のトランジスタ部をレーザ光で図1に示すC-C線部で切断し、その後、画素電極3上のD部および隣接画素の画素電極3上のD部にレーザ光を照射して、点欠陥修復パターン9を介して隣接する画素の画素電極を短絡させる。この場合、絶縁膜を介した2つの金属膜、すなわち点欠陥修復パターン9およびアイランド10をレーザで接続するため、容易且つ確実に修復が行える。
請求項（抜粋）：
透明絶縁基板上に形成され金属薄膜よりなるゲート電極を兼ね備えたゲート配線、このゲート配線上にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層、この半導体層と共に半導体素子を構成するソース電極を兼ね備えたソース配線およびドレイン電極、上記半導体素子の近傍に設けられた透明導電膜よりなる画素電極、上記ゲート配線と同一の金属材料よりなり、隣接する2つの画素にまたがって配置された第1の金属パターン、上記第1の金属パターン上に上記ゲート絶縁膜を介して配置されたソース配線およびドレイン電極と同一の金属材料よりなる第2の金属パターンを備え、レーザ照射にて上記第1の金属パターンと上記第2の金属パターンを溶融して接続することにより隣接する2つの画素電極間を接続し、画素欠陥の修復を行うことを特徴とするTFTアレイ基板。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/13 101
, H01L 29/786
G02F 1/136 500
, G02F 1/13 101
, H01L 29/78 612 A
