特許
J-GLOBAL ID：200903098787846551
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-279809
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086768
出願日： 2001年09月14日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：
【要約】【課題】 メモリセルの微細化、読み出し書き込みの高速化、製造工程の簡略化を図る。【解決手段】 メモリセル23は、P型シリコン基板31上に順次積層されたアンチフューズ絶縁膜35およびワード線22となるドープドポリシリコン37と、P型シリコン基板31中に形成されたビット線21となるN型不純物領域33と、P型シリコン基板31中における絶縁膜35とN型不純物領域33との間に形成されたP型不純物領域34で構成される。こうして、従来の半導体製造プロセスを用いて容易に形成することができる。したがって、製造工程を簡略化して製造コストを削減する。また、ダイオードを半導体基板の不純物拡散領域で構成して、書き込み/読み出しの高速化を行う。また、ビット線21部およびダイオード部をシリコン基板31中に形成して層間絶縁膜の形成を無くし、メモリセル23の微細化を図る。
請求項（抜粋）：
二次元に配列された複数のメモリセルにディジタル情報を記憶して保持する不揮発性半導体記憶装置において、上記各メモリセルは、半導体基板上に順次積層された絶縁膜および導電体膜と、上記半導体基板中に形成された第1導電型の第1不純物領域と、上記半導体基板中における上記絶縁膜と第1不純物領域との間に形成された第2導電型の第2不純物領域で構成されており、上記メモリセルへのディジタル情報の記憶保持は、上記導電体膜と第1不純物領域電極との間に電位差を発生させて上記絶縁膜を絶縁破壊させることによって行うことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
Fターム (9件)：
5F083CR14
, 5F083GA06
, 5F083GA09
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA39
, 5F083LA12
, 5F083LA16
, 5F083PR37
