特許
J-GLOBAL ID：200903098791741950
チタン酸ジルコン酸鉛および酸化ルテニウム薄膜の反応性イオンエッチング方法及びそれを用いて製造される半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-333826
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349783
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：
【要約】【目的】 チタン酸ジルコン酸鉛および酸化ルテニウム薄膜の両方を効率よくエッチングできる反応性イオンエッチングの方法及びそれを用いた半導体装置を提供する。【構成】 エッチングガスとしてCClF2またはCHClFCF3を用いる。エッチングガスにO2を混合してもよい。これらのエッチングガスとラジオ波によるグロー放電を用いて、チタン酸ジルコン酸鉛および酸化ルテニウム薄膜をエッチングする。
請求項（抜粋）：
RuO2およびチタン酸ジルコン酸鉛からなる群から選択される少なくとも1種を含む材料を反応性イオンエッチングする方法であって、該材料を、CCl2F2およびCHClFCF3からなる群から選択される少なくとも1種を含むチャンバに入れる工程と、該チャンバ中にグロー放電を発生させて、該材料をエッチングする工程と、を包含する方法。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 27/108
