半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小杉佳男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-303639
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161932
出願日： 1993年12月03日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】同一層に配線した導電体を用いた従来のキャパシタと比べ容量値が大きく、かつ高精度のキャパシタが形成された半導体装置を提供する。【構成】コンタクトホールを利用して容量を増大させる。同一層内の配線は配線の幅を互いに嵌合する形に繰り返し変化させる。異なる層の配線は交差させる。

請求項（抜粋）：

同一層に形成された互いに対向して延びる複数の第1の導電体と、前記第1の導電体それぞれの直下の、互いに対向する部分がエッチングされた穴もしくは溝に埋め込まれた、前記第1の導電体と連続する複数の第2の導電体とを有するキャパシタを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 29/43

FI (2件)：

H01L 27/04 C , H01L 29/46 M

引用特許：

審査官引用 (8件)

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