銅めっき浴および該めっき浴を用いる微細回路配線形成方法並びにこれに使用する装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小野信夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-125501
公開番号（公開出願番号）：特開2003-321792
出願日： 2002年04月26日
公開日（公表日）： 2003年11月14日
要約：

【要約】【課題】微細なトレンチ(溝)や孔で微細な回路パターンが形成された半導体ウェハやプリント配線板などの電子回路用基板に対し、電気的信頼性が高く、かつ配線上にハンプが生じることのない微細回路配線を形成することが可能な銅めっき浴および該めっき浴を用いた微細回路配線の形成方法並びにこれに使用する装置を提供すること。【解決手段】次の成分(a)〜(d)(a)銅イオン(b)酸成分(c)0.1〜10mg/Lのハロゲンイオン(d)ポリマー成分を含有し、硫黄含有不飽和有機化合物を実質的に含有しないことを特徴とする銅めっき浴および該めっき浴を用いた微細回路配線の形成方法並びにこれに使用する装置。

請求項（抜粋）：

次の成分(a)〜(d)(a)銅イオン(b)酸成分(c)0.1〜10mg/Lのハロゲンイオン(d)ポリマー成分を含有し、硫黄含有不飽和有機化合物を実質的に含有しないことを特徴とする銅めっき浴。

IPC (5件)：

C25D 3/38 101 , C25D 7/12 , H01L 21/288 , H01L 21/3205 , H05K 3/18

FI (6件)：

C25D 3/38 101 , C25D 7/12 , H01L 21/288 E , H01L 21/288 M , H05K 3/18 G , H01L 21/88 M

Fターム (98件)：

4K023AA19 , 4K023BA06 , 4K023CA09 , 4K023CB07 , 4K023CB13 , 4K023CB32 , 4K023CB33 , 4K023DA06 , 4K023DA07 , 4K023DA08 , 4K024AA09 , 4K024AB01 , 4K024BB12 , 4K024CA02 , 4K024CA04 , 4K024CA06 , 4K024GA16 , 4M104AA01 , 4M104BB04 , 4M104BB17 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104BB37 , 4M104CC01 , 4M104DD16 , 4M104DD22 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104DD64 , 4M104DD75 , 4M104DD78 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH04 , 4M104HH05 , 4M104HH12 , 4M104HH14 , 4M104HH16 , 4M104HH20 , 5E343AA22 , 5E343BB03 , 5E343BB24 , 5E343CC78 , 5E343DD43 , 5E343GG13 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH15 , 5F033HH21 , 5F033HH27 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ01 , 5F033JJ07 , 5F033JJ11 , 5F033JJ15 , 5F033JJ21 , 5F033JJ27 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK01 , 5F033LL08 , 5F033MM08 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033PP33 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ19 , 5F033QQ37 , 5F033QQ46 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033QQ92 , 5F033RR04 , 5F033WW04 , 5F033XX00 , 5F033XX01 , 5F033XX03 , 5F033XX04 , 5F033XX10 , 5F033XX20 , 5F033XX28 , 5F033XX34

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