特許
J-GLOBAL ID:200903098793574091
表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
浅川 哲
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-057750
公開番号(公開出願番号):特開2000-261041
出願日: 1999年03月04日
公開日(公表日): 2000年09月22日
要約:
【要約】【課題】 表面実装型の発光ダイオードにおいて、蛍光物質等の波長変換用材料が外部からの紫外線などによる影響を受けないようにして波長変換用材料の老化を抑える。【解決手段】 ガラエポ基板12の上面に搭載した発光ダイオード素子15の周囲に反射枠21を配置し、この反射枠21内に波長変換用材料が混入された第1の樹脂25を充填して発光ダイオード素子15を封止すると共に、反射枠21を含むガラエポ基板12の上部に第2の樹脂27及び表層としての第3の樹脂28を層状に重ねて全体を封止し、少なくとも第3の樹脂28中には紫外線吸収剤を混入してある。
請求項(抜粋):
ガラエポ基板の上面に発光ダイオード素子を配置し、この発光ダイオード素子の電極とガラエポ基板に形成した一対の電極とをそれぞれ接続したのち、ガラエポ基板の上部を樹脂で封止してなる表面実装型発光ダイオードにおいて、前記発光ダイオード素子の周囲に反射枠を配置し、この反射枠内に波長変換用材料が混入された第1の樹脂を充填して発光ダイオード素子を封止すると共に、反射枠を含むガラエポ基板の上部に第2の樹脂及び表層としての第3の樹脂を層状に重ねて全体を封止し、少なくとも第3の樹脂中には紫外線吸収剤を混入してあることを特徴とする表面実装型発光ダイオード。
IPC (4件):
H01L 33/00
, H01L 23/28
, H01L 23/29
, H01L 23/31
FI (4件):
H01L 33/00 N
, H01L 23/28 D
, H01L 23/30 B
, H01L 23/30 F
Fターム (24件):
4M109AA02
, 4M109BA04
, 4M109CA01
, 4M109CA06
, 4M109DA07
, 4M109DB07
, 4M109EA02
, 4M109EB08
, 4M109EB12
, 4M109EB18
, 4M109EC11
, 4M109EE12
, 4M109EE15
, 4M109GA01
, 5F041AA43
, 5F041CA33
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041DA12
, 5F041DA46
, 5F041DA57
, 5F041DA92
, 5F041EE11
, 5F041EE23
引用特許:
出願人引用 (4件)
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表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-038114
出願人:株式会社シチズン電子
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発光ダイオード
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-241449
出願人:日亜化学工業株式会社
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発光ダイオード
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-130638
出願人:岩崎電気株式会社
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特開昭61-158606
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審査官引用 (4件)