特許

J-GLOBAL ID：200903098795508967

炭化ケイ素のスパッタリングターゲット

発明者： ルーピル,アイアビング ビー. ,  キース,ウイリアム ジェイ.
出願人/特許権者： ザ カーボランダム カンパニー
代理人 (1件)： 石田 敬 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-519570
公開番号（公開出願番号）：特表平9-508178
出願日： 1995年01月04日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：

【要約】本発明は、非化学量論的炭化ケイ素、SiCx(xは炭素/炭化ケイ素のモル比であり、そしてxは約1.1より大きいが、約1.45より小さい)を含んでなる、炭化ケイ素のスパッタリングターゲットを提供する。本発明のスパッタリングターゲットは、新規なスパッタリングターゲットを使用するDCマグネトロンスパッタリング速度が、現在入手可能なターゲットを使用して達成可能な速度よりほぼ1桁大きいことにおいて、現在入手可能な非化学量論的炭化ケイ素から製造されたスパッタリングターゲットより優れる。本発明は、また、原料バッチから新規なスパッタリングターゲットを製造し、そして前記ターゲットをスパッタリングすることによって優れた炭化ケイ素の皮膜を形成する方法を包含する。

請求項（抜粋）：

非化学量論的SiCx(xはC/Siのモル比であり、xは約1.1より大きいが、約1.45より小さい)を含んでなり、過剰炭素がグラファイト、アモルファス炭素またはそれらの混合物として存在する、スパッタリングターゲットとして使用するに適する緻密化された導電性の炭化ケイ素セラミック体。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/565 ,  C23C 14/06

FI (4件)：

C23C 14/34 A ,  C23C 14/06 B ,  C23C 14/34 C ,  C04B 35/56 101 D