特許
J-GLOBAL ID：200903098807168105
電界効果トランジスタ増幅器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-178138
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029850
出願日： 1991年07月18日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 小型で広帯域に良好な反射特性を有する高出力の内部整合形の電界効果トランジスタ(以下、FETと呼ぶ)増幅器を得ることを目的とする。【構成】 この発明のFET増幅器は、誘電体基板に設けた、マイクロストリップ線路により2つの分路接続のブランチを一体化し、スロット線路により直列接続のブランチを構成する結合回路を有する電力分配器及び電力合成器を備えて構成したものである。
請求項（抜粋）：
電力分配器及び電力合成器を備えた内部整合形の電界効果トランジスタ増幅器において、誘電体基板に設けた2つの分路接続のブランチを一体化したマイクロストリップ線路と、上記誘電体基板裏面の地導体に設けた直列接続のブランチを構成するスロット線路とからなる結合回路を有する電力分配器及び電力合成器を備えたことを特徴とする電界効果トランジスタ増幅器。
IPC (3件)：
H03F 3/60
, H03F 3/26
, H03F 3/68
