特許

J-GLOBAL ID：200903098810840728

面発光半導体レーザ

発明者： 駒崎 岩男 ,  山本 英二
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-061508
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260765
出願日： 1996年03月18日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】発振モード制御が困難であるとともに、高出力時の偏光面の制御が困難である。【解決手段】GaAs基板(1) 上に、下部ミラー層(2) 、下部半導体クラッド層(3) 、活性層(4) 、上部半導体クラッド層(5) 、上部ミラー層(6) を順に積層した構造を有し、かつこの積層構造に電流を注入する第1,第2の電極(12,13) を備えた面発光半導体レーザにおいて、下部ミラー層(2) 又は、下部半導体クラッド層(3) 、活性層(4) 、上部半導体クラッド層(5) 、上部ミラー層(6) の一部又は全部を、基板面に垂直な軸を有する柱状に形成した柱状部と、前記柱状部の側面に形成された、レーザ光の前記柱状部の側面からの滲みだし光を吸収する光吸収層(8) と、光吸収層(8) と電気的に接続された第3の電極(15)とを具備することを特徴とする面発光半導体レーザ。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、少なくとも下部ミラー層、下部半導体クラッド層、化合物半導体よりなる活性層、上部半導体クラッド層、上部ミラー層を順に積層した構造を有し、かつ、この積層構造に電流を注入する第1,第2の電極を備えた面発光半導体レーザにおいて、前記下部ミラー層又は、前記下部半導体クラッド層、前記活性層、前記上部半導体クラッド層、前記上部ミラー層の一部又は全部を、基板面に垂直な軸を有する柱状に形成した柱状部と、前記柱状部の側面に形成された、レーザ光の前記柱状部の側面からの滲みだし光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層と電気的に接続された第3の電極とを具備することを特徴とする面発光半導体レーザ。