特許
J-GLOBAL ID：200903098811815077
ヘテロ接合デバイスの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
目次 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-346228
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196729
出願日： 1992年12月25日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 水素プラズマ処理を均一にかつ効果的に多結晶半導体に施すことのできるヘテロ接合デバイスの製造方法を得る。【構成】 一導電型多結晶半導体1に水素プラズマ処理を施した後、多結晶半導体1のダメージを受けた表面層1aを除去し、その上に非晶質半導体層2,3を、水素プラズマ処理の温度よりも低い温度で形成する。
請求項（抜粋）：
一導電型の多結晶半導体に水素プラズマ処理を施す工程と;前記水素プラズマ処理によってダメージを受けた前記多結晶半導体の表面層を除去する工程と;表面層を除去した前記多結晶半導体上に直接または間接に他導電型の非晶質半導体層を前記水素プラズマ処理よりも低い温度で形成する工程とを備える、ヘテロ接合デバイスの製造方法。
FI (2件)：
H01L 31/04 A
, H01L 31/04 B
