特許

J-GLOBAL ID：200903098815868043

化学反応の最適条件を決定する方法

発明者： 堤 芳紹 ,  渡辺 一典 ,  臼井 建人 ,  池川 正人 ,  小林 淳一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-239182
公開番号（公開出願番号）：特開平6-102247
出願日： 1992年09月08日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：

【要約】【目的】気相で化学反応を発生している系の反応最適条件を決定する。【構成】反応で発生した中間体はウェハ穴301とオリフィス4から分子線サンプリング装置第一室1へ導入され、断熱膨張し自由噴流となる。この際、急激な温度降下により保存される。この噴流の一部はスキマ5から第二室2へ導入され分子同士の衝突の無い分子線20になる。コリメータ6を通過した分子線を四重極質量分析器10で分析する。

請求項（抜粋）：

少なくとも被検出側の気体を、前記気体のある側から圧力の低い室へ噴出させて自由噴流を形成する第一の絞り機構、および、その室の圧力を前記被検出側の気体の圧力より低くする第一の真空排気系を備えた第一室と、前記第一室に隣接する室であって、少なくとも、前記第一室の絞り機構で形成された自由噴流を導入して分子線を形成する第二の絞り機構、この室内の圧力を調節する第二の真空排気系、前記第二の絞り機構で形成された分子線を周期的に断続する分子線断続機構、および前記分子線が前記分子線断続機構を通過したことを検出する手段を備えた第二室と、前記第二室で形成された断続する前記分子線中の成分を分析する分析器、および室内の圧力を調節する第三の真空排気系を備えた第三室からなる分子線サンプリング装置において、半導体の形成過程で気相または固体の表面に隣接する気相で化学反応を発生している化学反応系の気体を被分析対象気体として、化学反応中に発生する中間体を分析し、この分析結果を用いて必要とされる化学反応が最も多く発生するように反応条件を設定し、得られた条件を分子線サンプリング装置の連結されていない同じ化学反応を行う系に適用することを特徴とする化学反応の最適条件を決定する方法。

IPC (2件)：

G01N 27/62 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-062749
  
• 特開平1-286307
  
• 特開平4-007852