特許
J-GLOBAL ID:200903098819627245

磁性体の内部構造測定方法および装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 五十嵐 孝雄 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-203057
公開番号(公開出願番号):特開平10-026609
出願日: 1996年07月11日
公開日(公表日): 1998年01月27日
要約:
【要約】【課題】 磁性体の種々の内部構造を非破壊にて測定する方法および装置を提供することを目的とする。【解決手段】 被測定物に静磁場を印加して前記被測定物を磁化させ、前記静磁場を遮断した後に、前記被測定物の近傍の複数位置における微分磁束密度の過渡変化を測定する。前記複数位置における前記微分磁束密度の過渡変化の時定数を求め、前記複数位置に対する前記時定数の分布から前記被測定物の内部構造に関する所定の特性値を求める。
請求項(抜粋):
磁性体である被測定物の内部構造を測定する方法であって、(a)被測定物に静磁場を印加して前記被測定物を磁化させる工程と、(b)前記静磁場を遮断した後に、前記被測定物の近傍の複数位置における微分磁束密度の過渡変化を測定する工程と、(c)前記複数位置における前記微分磁束密度の過渡変化の時定数を求める工程と、(d)前記複数位置に対する前記時定数の分布から前記被測定物の内部構造に関する所定の特性値を求める工程と、を備えることを特徴とする方法。
IPC (3件):
G01N 27/82 ,  B23K 11/24 338 ,  G01N 33/20
FI (3件):
G01N 27/82 ,  B23K 11/24 338 ,  G01N 33/20 P

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