特許

J-GLOBAL ID：200903098821046624

結晶性半導体膜の製造方法、結晶性半導体膜、半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 福山 恵一
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  大塩 竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-175499
公開番号（公開出願番号）：特開2005-012030
出願日： 2003年06月19日
公開日（公表日）： 2005年01月13日
要約：

【課題】高性能な結晶性半導体膜を簡単なプロセスで低コストに形成する。【解決手段】半導体膜2を形成する工程と、半導体膜2上に、透光性絶縁膜1を、第1のレーザ光に対する反射率がベア領域半導体膜の反射率よりも20%以上低くなるような膜厚にて形成する透光性絶縁膜形成工程と、透光性絶縁膜1および半導体膜2を加熱する第2のエネルギービーム8を照射しながら、第1のエネルギービーム9をキャップ領域完全溶融エネルギーよりも大きなエネルギーによって照射するエネルギービーム照射工程と、キャップ領域半導体膜を先に結晶化されたベア領域半導体膜に基づいて結晶化させるキャップ領域結晶化工程と、透光性絶縁膜2を半導体膜1上から除去する除去工程とを有する。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

半導体膜上に平行に形成する複数のストライプ状の透光性絶縁膜を用いて該半導体膜から結晶性半導体膜を得る結晶性半導体膜の製造方法において、 該透光性絶縁膜で覆われたキャップ領域の半導体膜が完全溶融し、かつ該透光性絶縁膜に覆われていないベア領域の半導体膜は領域全体が完全溶融しないように、該透光性絶縁膜および半導体膜に第1のエネルギービームを照射するエネルギービーム照射工程と、 完全溶融した該キャップ領域半導体膜から該ベア領域半導体膜へと広げた溶融領域の位置から該キャップ領域半導体膜へと結晶成長させる結晶化工程とを有する結晶性半導体膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

FI (3件)：

H01L21/20 ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/78 618Z

Fターム (31件)：

5F052AA02 ,  5F052AA24 ,  5F052BA07 ,  5F052BA11 ,  5F052BA15 ,  5F052BB06 ,  5F052BB07 ,  5F052CA10 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052EA03 ,  5F052EA07 ,  5F052EA15 ,  5F052FA01 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP07 ,  5F110PP11 ,  5F110PP24 ,  5F110PP35