特許
J-GLOBAL ID:200903098823783596
積層体
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
成瀬 勝夫
, 中村 智廣
, 佐野 英一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-096474
公開番号(公開出願番号):特開2004-299305
出願日: 2003年03月31日
公開日(公表日): 2004年10月28日
要約:
【課題】絶縁層を透過してドライバICチップの配線の認識を可能として、導体と絶縁体の間の接着力が高く、耐エレクトロマイグレーション性に優れた積層体を提供する。【解決手段】導体層と絶縁層が積層された構造となった積層体であって、導体層の絶縁層側表面を各点における高さの値からなる3次元形状データとして測定し、下記式に示される二次元フーリエ変換を行って周波数の関数であるパワースペクトルを算出し、600nmに相当する周波数の強度が変換前の表面高さ値1.6μmに相当する強度以下であることを特徴とする積層体。【数1】但し、F(u, v):変換によって得られた関数(パワースペクトル)、u, v:x, y方向の波数、f(x, y):変換対象の関数(3次元形状データ)、(x, y):平面座標【選択図】 なし
請求項(抜粋):
導体層と絶縁層が積層された構造の積層体であって、導体層の絶縁層側表面を各点における高さの値からなる3次元形状データとして測定し、下記式1に示される二次元フーリエ変換を行って周波数の関数であるパワースペクトルを算出し、600nmに相当する周波数の強度が変換前の表面高さ値1.6μmに相当する強度以下であることを特徴とする積層体。
IPC (4件):
B32B7/02
, B32B15/08
, H01L21/60
, H05K3/00
FI (4件):
B32B7/02 104
, B32B15/08 R
, H01L21/60 311W
, H05K3/00 R
Fターム (17件):
4F100AB17A
, 4F100AB33A
, 4F100AK49B
, 4F100AR00A
, 4F100AR00B
, 4F100BA02
, 4F100EC01
, 4F100EC01B
, 4F100EH46
, 4F100EH46B
, 4F100GB41
, 4F100JG01A
, 4F100JG04B
, 4F100JK06
, 5F044KK03
, 5F044MM03
, 5F044MM48
引用特許:
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