特許

J-GLOBAL ID：200903098829674624

半導体装置の製造方法

発明者： 村田 正博
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-311539
公開番号（公開出願番号）：特開平8-167582
出願日： 1994年12月15日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の製造方法に関し、フリップチップ・タイプICのダイシング以後の工程の簡単化を目的とする。【構成】 はんだバンプを設けた半導体デバイスが形成してあるウェーハを、ウェーハに設けてあるスクライブラインに沿ってダイシングし、個々のチップに分離する半導体装置の製造方法において、ウェーハ上にはんだフラックスを被覆し、はんだバンプを埋めて硬化させた状態で、ウェーハをダイシングした後、溶剤洗浄によりフラックスを除去することを特徴として半導体装置の製造方法を構成する。

請求項（抜粋）：

はんだバンプを設けた半導体デバイスが形成してあるウェーハを、該ウェーハに設けてあるスクライブラインに沿ってダイシングし、個々のチップに分離する半導体装置の製造方法において、該ウェーハ上にはんだフラックスを被覆し、前記はんだバンプを埋めて硬化させた状態で、該ウェーハをダイシングした後、溶剤洗浄により前記フラックスを除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/301 ,  H05K 3/34 503

FI (2件)：

H01L 21/78 L ,  H01L 21/78 P