特許

J-GLOBAL ID：200903098829684034

面発光型半導体レーザ素子

発明者： 福島 徹
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-098545
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291414
出願日： 1993年03月31日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：

【要約】【目的】 しきい値電流が低く、高速応答が可能な面発光型半導体レーザ素子を提供する。【構成】 半絶縁性半導体基板31上に下部光閉じ込め層32、下部クラッド層33、活性層34および上部光閉じ込め層40が順次積層され、n電極41は上部光閉じ込め層40上に設けられ、p電極42は下部クラッド層36、37上に設けられ、正孔は下部光閉じ込め層32を経ずに活性層34下面ないし側面から活性層34に注入される。

請求項（抜粋）：

半絶縁性半導体基板上に下部光閉じ込め層、下部クラッド層、活性層および上部光閉じ込め層が順次積層され、n電極は上部光閉じ込め層上に設けられ、p電極は下部クラッド層上に設けられ、正孔は下部光閉じ込め層を経ずに活性層下面ないし側面から活性層に注入されることを特徴とする面発光型半導体レーザ素子。