特許
J-GLOBAL ID：200903098830879850
プラズマCVD装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-002940
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190462
出願日： 1992年01月10日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】【目的】この発明は、成膜対象物の温度を非接触で高精度に測定できるようにしたプラズマCVD装置を提供することにある。【構成】成膜チャンバ-21内に設けられたサセプタ32によって加熱されるガラス基板37の温度を非接触で検出する赤外線放射温度計42と、サセプタ32の温度を直接的に検出する熱電対35と、成膜チャンバ-21内に配設されガラス基板37との間に放電を発生させる電極39と、赤外線放射温度計42の温度表示に対するサセプタ32の温度とガラス基板37の温度との相関デ-タが予め設定されこの相関デ-タに基づき熱電対35が検出するサセプタ32の温度に応じて赤外線放射温度計42が検出するガラス基板37の温度を補正し、その補正温度によってサセプタ32の温度を制御する制御装置36とを具備したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
内部に成膜用のガスが供給される成膜チャンバ-と、この成膜チャンバ-内に設置され上面に成膜対象物が載置されるとともにこの成膜対象物を加熱するヒ-タを有するサセプタと、このサセプタによって加熱される上記成膜対象物の温度を非接触で検出する非接触温度検出器と、上記サセプタの温度を直接的に検出する接触式温度検出器と、上記チャンバ-内に配設され上記成膜対象物との間に放電を発生させる電極と、上記非接触式温度検出器の温度表示に対する上記サセプタの温度と成膜対象物の温度との相関デ-タが予め設定されこの相関デ-タに基づき上記接触式温度検出器が検出するサセプタの温度に応じて上記非接触式温度検出器が検出する成膜対象物の温度を補正し、その補正温度によって上記サセプタの温度を制御する制御手段とを具備したことを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/50
, H01L 21/31
