特許

J-GLOBAL ID：200903098832192363

ヘリコン波プラズマ・アッシング方法

発明者： 門村 新吾
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-092836
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288260
出願日： 1995年04月18日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】【目的】 イオン注入後に表面硬化層が形成されたレジスト・マスクを、ポンピング残渣を発生させず、かつダメージを抑えながらアッシングする。【構成】 m=0モード・プラズマ励起用のシングルループ・アンテナ6、m=1モード・プラズマ励起用のハーフターン・アンテナ7、矢印B方向に昇降可能なウェハ・ステージ9、および磁界制御用のスイッチ82を備えたヘリコン波プラズマCVD装置を用いる。まず、ウェハ・ステージ9を上昇させてウェハWをヘリコン波プラズマPH に近づけ、高密度のイオンを利用して速やかに表面硬化層を分解する。次に、ウェハ・ステージ9を下降させ、スイッチ82をOFFとし、さらにハーフターン・アンテナ7への電力供給を遮断し、天板2の近傍で励起された誘導結合プラズマPI から拡散するラジカルを利用して残る未変質層を除去する。

請求項（抜粋）：

単一のプラズマ生成チャンバ内にm=0モードのヘリコン波プラズマとm=1モードのヘリコン波プラズマとをそれぞれ励起可能な2系統の高周波アンテナと、磁界生成手段と、該プラズマ生成チャンバに同心的に接続される拡散チャンバと、該拡散チャンバ内で基板をその軸方向に沿って昇降させる基板ステージとを備えたヘリコン波プラズマ装置を用い、前記基板上の有機膜パターンのアッシングを行うヘリコン波プラズマ・アッシング方法。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/3213 ,  H05H 1/46

FI (7件)：

H01L 21/302 H ,  C23F 4/00 G ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 341 D ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/88 D