特許

J-GLOBAL ID：200903098837861182

半導体レーザ装置及びその作製方法

発明者： 後藤 順 ,  百瀬 正之 ,  大家 彰 ,  中塚 慎一 ,  右田 雅人
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-170703
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321419
出願日： 1994年07月22日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：

【要約】【目的】 II-VI族化合物半導体からなる短波長半導体レーザ装置及びその作成方法を提供する。【構成】 II-VI族化合物半導体からなる埋込型半導体レーザ装置において、埋込層9,10,11として、そのレーザ装置の活性層6よりも低い屈折率を有するII-VI族化合物を用いる。その埋込層はレーザ装置の活性層よりも大きな禁制帯幅を有する。また、その埋込層はレーザ装置を成長した基板の格子定数にほぼ格子整合する組成とし、そして、n型クラッド層4-活性層6-p型クラッド層7からなるレーザの動作に、影響を及ぼさないだけ十分に電気的抵抗の高いものとする。【効果】 短波長II-VI族化合物半導体レーザの低閾電流化が可能となり、また、電極の接触抵抗の低減が可能となり、高信頼性を有するレーザ素子が得られる。

請求項（抜粋）：

II-VI族化合物半導体からなる埋込型半導体レーザ装置において、埋込層として、そのレーザ装置の活性層よりも低い屈折率を有するII-VI族化合物を用いることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00