特許

J-GLOBAL ID：200903098839064085

キャパシタ装置及びその製造方法

発明者： 清水 聡
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-001847
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200070
出願日： 1997年01月09日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】【課題】 キャパシタ装置及びその製造方法に関し、高誘電率のシリコン窒化膜を用いて大きな容量を維持しながら、しかも、絶縁破壊に対して高い耐性を備えたキャパシタ装置を実現できるようにする。【解決手段】 シリコン窒化膜で構成されたキャパシタ誘電体膜3に於ける下部電極2及び上部電極5に接する部分、即ち、高密度シリコン窒化膜3A並びに高密度シリコン窒化膜3Cに於ける密度が、電極と接しない部分、即ち、低ストレス・シリコン窒化膜3Bに比較して高密度化されている。

請求項（抜粋）：

シリコン窒化膜で構成されたキャパシタ誘電体膜に於ける上下各電極に接する部分が接しない部分に比較して高密度になっていることを特徴とするキャパシタ装置。

IPC (5件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 21/318 B ,  H01L 27/04 C