半導体発光素子及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-053246
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246650
出願日： 1996年03月11日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】本発明は、高出力動作及び高温低しきい値動作と、高速動作とを同時の実現を図る。【解決手段】埋込み構造の半導体発光素子にて、埋込み層(15〜18)がメサストライプの上部よりも突出した領域に空隙(17)が形成されているので、電流ブロック層(15,16)におけるpnpn構造の部分の面積を実効的に小さくでき、高出力動作及び高温低しきい値動作のために各電流ブロック層のキャリア密度を高くしても、素子容量を十分小さくできるので高速動作を実現でき、高出力動作及び高温低しきい値動作と、高速動作とを同時に実現できる半導体発光素子及びその製造方法。

請求項（抜粋）：

少なくとも活性層を含むメサストライプが設けられた第1導電型基板と、第1導電型電流ブロック層及び第2導電型電流ブロック層を少なくとも有し、前記メサストライプの側面を埋め込むように形成され、且つ少なくとも一部が前記メサストライプの上部よりも突出した埋込み層と、前記メサストライプ及び前記埋込み層の各々の上部に形成された第2導電型クラッド層とを備えた半導体発光素子であって、前記埋込み層は、前記メサストライプの上部よりも突出した領域に空隙が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。

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